集成电路氧化工艺与成膜厚度虚拟仿真软件-集成电路制造-高校虚拟教学仿真软件

实验编号：U20S03800

关键词：集成电路，氧化工艺，氧化炉，成膜厚度

（一）内容介绍

本虚拟仿真实验包括：（1）1#清洗液的配制及清洗；（2）2#清洗液的配制及清洗；（3）启动氧化炉，设计氧化工艺参数；（4）氧化工艺过程验证成膜厚度；（5）降温取样并进行数据验证。

（1）1#清洗液的配制及清洗

（2）2#清洗液的配制及清洗

（3）启动氧化炉，设计氧化工艺参数

（4）氧化工艺过程验证成膜厚度

（5）降温取样并进行数据验证

（二）实验特色和亮点

本实验能够构建集成电路氧化工艺虚拟仿真实验环境，全方位实现了集成电路氧化工艺所涉及的所有知识点的实验探究，把操作应用场景直观呈现，有效地解决了实际实验难以组织实施，也无法承受大批量的学生同时实验的难题；有效地拓展了实验内容的深度和广度，提升了集成电路氧化工艺的学习效果，凸显了虚拟仿真实验的优势。

设置以氧化膜厚度为性能指标，探索氧化工艺各参数对膜厚影响主次及规律实验方案设计，要求学生自主实验方案，利用虚拟仿真实验系统，输入不同工艺参数，得到膜厚等性能指标，自主分析实验结果，有效培养提升了学生实验方案设计与结果分析的能力，为解决复杂问题的综合能力和高阶思维打下坚实基础。

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