产品中心

强磁性物质对外加磁场响应行为的测试分析虚拟仿真实验

实验一、磁化曲线测试分析

实验二、磁滞回线测试分析

实验三、居里温度测试分析

磁畴显示与测试分析

磁畴显示与测试分析

电子薄膜基本工艺实验

实验一、直流磁控溅射工艺实验

实验二、电阻蒸发镀膜工艺实验

实验三、射频磁控溅射制备工艺实验

实验四、电子束蒸发工艺实验

薄膜光电探测器制作及测试

实验一、光敏薄膜材料制备

实验二、光敏薄膜厚度测量实验

实验三、光敏薄膜表面形貌及粗糙度分析实验

实验四、薄膜的电输运性能测试实验

实验五、真空蒸发薄膜电极实验

实验六、光敏电阻的光电性能测试实验

基于低通滤波器的磁介质研制

实验一：磁芯样品制备

实验二：物相结构分析

实验三：扫描电镜形貌观察样品显微形貌变化情况

实验四：烧结密度测试

实验五：起始磁导率测试

实验六：饱和磁感应强度测试

实验七：基于低通滤波器的磁介质研制

铝栅CMOS管制造实验

实验一：清洗准备

实验二：一次氧化

实验三：光刻P阱区

实验四：刻蚀P阱区

实验五：P阱区硼扩散

实验六：P 阱推进及氧化

实验七：光刻PMOS管源漏区

实验八：刻蚀PMOS管源漏区

实验九：PMOS管源漏区硼预扩散

实验十：PMOS管源漏区硼再扩散

实验十一：光刻NMOS管源漏区

实验十二：刻蚀NMOS管源漏区

实验十三：NMOS管源漏区磷预扩散

实验十四：NMOS管源漏区磷再扩散

实验十五：光刻栅孔

实验十六：刻蚀栅孔

实验十七：栅孔氧化

实验十八：光刻接触孔

实验十九：刻蚀接触孔

实验二十：蒸发铝

实验二十一：光刻铝电极

实验二十二：刻蚀铝电极

实验二十三：芯片测试

集成电路制造基础工艺

实验一、清洗

实验二、光刻

实验三、刻蚀

实验四、扩散

实验五、氧化

实验六、蒸发

实验七、测试

集成二极管制造实验

实验一、清洗准备

实验二、一次氧化

实验三：光刻P区

实验四、刻蚀P区

实验五、P区硼预扩散

实验六、P区硼再扩散

实验七：光刻n+区

实验八、刻蚀n+区

实验九、n+区磷预扩散

实验十、n+区磷再扩散

实验十一、光刻接触孔

实验十二、刻蚀接触孔

实验十三、蒸发铝

实验十四、光刻铝电极

实验十五、刻蚀铝电极

实验十六、芯片测试

集成三极管制造实验

实验一、清洗准备

实验二、一次氧化

实验三：光刻基区

实验四、刻蚀基区

实验五、基区硼预扩散

实验六、基区硼再扩散

实验七：光刻发射区和极电区

实验八、刻蚀发射区和极电区

实验九、发射区和极电区磷预扩散

实验十、发射区和极电区磷再扩散

实验十一、光刻接触孔

实验十二、刻蚀接触孔

实验十三、蒸发铝

实验十四、光刻铝电极

实验十五、刻蚀铝电极

实验十六、芯片测试

双面印制电路板的制作

实验一：钻孔

实验二：刷板、烘板

实验三：孔金属化工艺及技术

实验四：绘菲林

实验五：胶片显影

实验六：贴干膜

实验七：双面曝光

实验八：印制电路板显影

实验九：印制电路线路蚀刻

实验十：去干膜技术

实验十一：线路阻焊技术

实验十二：电镀镍金

实验十三：切外型

四层印制电路板制作

实验一：贴干膜

实验二：双面曝光

实验三：印制电路板显影

实验四：印制电路线路蚀刻

实验五：去干膜技术

实验六：线路阻焊技术

实验七：电镀镍金

实验八：切外型

实验九：多层板层压

实验十：钻孔

实验十一：刷板、烘板

实验十二：孔金属化工艺及技术

实验十三：绘菲林

实验十四：胶片显影