服务案例

公司与西安交通大学合作，开发“半导体C-V特性测试”虚拟仿真实验课程。

一、项目简介

C-V特性测试是微电子领域常用的测试手段，能够得到许多关键的工艺参数，可有效的评估工艺、材料及器件的特性。高频C-V测试是检测、研究MOS器件、半导体界面性质的重要方法，使用这种方法可以求得氧化物膜厚度、氧化层中的固定电荷密度、可动电荷密度、掺杂浓度等，还可以判断半导体材料的导电类型，因此被广泛地应用于半导体工艺、器件的研究及微电子制造业中。

本实验就是通过测量金属/二氧化硅/硅结构的电容—电压特性（简称MOS的C-V特性）及偏压温度处理（简称BT处理），确定出SiO2层的厚度dox、Si片衬底的掺杂浓度、MOS结构平带电容CFB及SiO2中的固定电荷Qf和可动电荷Qm等参数。

二、实验内容

1、常温高频C-V特性测量

2、负偏压变频变温C-V特性测量

3、正偏压变频变温C-V特性测量