新闻中心

（一）内容介绍

（1）“抗辐照器件设计”模块：

本模块针对性能测试所得实验数据进行分析，并根据不同辐照条件粒子在器件结构中的射程和诱生缺陷仿真进行抗辐照加固设计。

（2）“工艺制造实验”模块：

本模块基于真实微电子工厂实验环境和加工设备构建了器件工艺制造虚拟平台，学生可身临其境地熟悉超净室工作规程、开展InP基HEMT制备流程设计和工艺制造虚拟实践。

（3）“空间可靠性实验”模块：

空间极端温度和高能粒子辐射是影响半导体器件和集成电路空间服役可靠性的关键，本模块基于真实高温炉设备和加速器辐照设备构建了空间可靠性虚拟仿真平台，学生可针对InP基HEMT器件进行温度、质子辐照和电子辐照虚拟仿真实验。

（4）“性能测试实验”模块：

本模块基于真实半导体参数分析仪设备和器件特性数据构建了半导体器件测试虚拟平台，学生可针对InP基HEMT器件进行输出特性和转移特性测试，并分析空间可靠性实验对器件性能的影响。

（二）实验的特色和亮点

（1）通过“器件加固设计”人机交互模块进行InP基HEMT器件抗辐照加固设计。仿真常规器件结构和钝化保护结构中辐照粒子射程和诱生缺陷密度，从而进行辐照抗性对比；

（2）通过“器件工艺制造”人机交互模块进行标准工艺库学习、InP基HEMT工艺流程和掩模版设计、工艺制备实操。研究工艺流程和工艺参数对制造器件影响；

（3）通过“空间可靠性”人机交互模块进行InP基HEMT的质子辐照、电子辐照和热处理实验。研究不同辐照能量和剂量及不同热处理温度、时间和氛围的影响；

（4）通过“性能测试”人机交互模块进行InP基HEMT器件的输出特性、转移特性测试。提取器件饱和沟道电流和最大跨导进行不同实验条件数据分析。